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EC-4179

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UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICA DE LOS SISTEMAS DE ADQUISICIÓN, PROCESAMIENTO Y CONTROL INDUSTRIAL II
CÓDIGO:  EC-4179

A continuación se presenta el contenido de la materia Electrónica de los sistemas de adquisición, procesamiento y control industrial II:

 Se les agradece revisar:

Contenido de la materia

Título Archivos .pdf
Contacto.
Programa.
Bibliografía.
Introducción.
Consideraciones generales Consideraciones
Normas de presentaciónNormas
Cronograma de clases de teoría
CronoTeoria
Cronograma de sesiones de ejercicios
CronoEjercicios
Componentes, distorsión y factor de potencia
Componentes
Dispositivos electrónicos de control de potencia
Dispositivos
Criterios de diseño de circuitos de manejo para conmutadores completamente controlados
Criterios
Pérdidas en conmutación en circuitos de conmutación dura Pérdidas
Técnicas básicas de reducción de pérdidas en circuitos de conmutación dura. Técnicas
Cálculos del modelo térmico
Cálculo térmico
Principios de conversión AC-AC
Conversión AC-AC
Principios de conversión AC-DC con dispositivos de conmutación natural
Conversión AC-DC
Fuentes de alimentación regulada I Fuentes1
Consideraciones sobre el diseño de fuentes de alimentación regulada continua
ConsidFuentes
Fuentes de alimentación regulada II
Fuentes2
Fuentes de alimentación regulada III
Fuentes3
Fuentes de alimentación regulada IV
Fuentes4
Fuentes de alimentación regulada V
Fuentes5
Introducción al control de fuentes conmutadas
Control Fuentes
Introducción a conversores AC-DC polifásicos
ConverAC-DC poli

Tabla de asignaciones

Título Archivos .pdf
Tarea 1
Tarea 2 Tarea2
Tarea 3 Tarea3


Hojas de especificaciones de dispositivos electrónicos de control de potencia
Temas Hojas de especificaciones
Diodos Diodo tipo PN D126A
Diodo tipo PN D1809N
Diodo tipo PN RA20
Diodo tipo Schottky  C2D20120D
Diodo tipo Schottky IDH15S120
GTO 5SGA 40L4501
5SGT 30J6004
BTV60-850R
FG6000AU-120D
IGBT Fast IGBT 10A 600V STGB10NC60V y familia
IGBT 1200V 8A IRG8P08N 120KDPBF
IGBT 7A 600V
IGBT 1700V 3600A FZ3600R17KE3
IGBT 3300V 1200A FZ1200R33KF2C
IGBT 6500V 600A FZ 600 R 65 KF1
IGBT doble FF450R12IE4
IGBT IKW40N120H3
IGBT puente trifásico IFS75B12N3E4 B31
IGBT Si con diodo SiC ga35xcp12-247-217
IGCT 5SHY 55L4500
5SHY 42L6500
Power MOSFETs RJQ6020DPM Si MOSFET y SiC diodo
Si AUIRF1010EZ
Si DS100159D (IXTF1N400)
Si FCP380N60
Si MOSFET 600V 50A STW56N60DM2
Si POWER MOS V 600V 38A APT6015LVR
SiC CMF20120D Power MOSFET
SiC Medio puente MOSFETs 1,2kV 250A CAS325M12HM2
SiC N-channel power FET 1700V 2.6A SCT2H12NZ-E
SiC Three Phase Inverter Bridge MOSFETs 1,2kV 59A CCS050M12CM2
SCR 5STP 03D6500_5SYA1055-02J
5STP 18M6500
ASEA YT 14-22
DNX DCR1570L65
DS T4003N
SCR 1200V FT1500AU-240
SCR 5000V 6100A T4021N-DS-v06_00
SCR 7500V 4120A T2871N
Componentes de los ejemplos CD00150587
PHP20NQ20T

 

Compañias y Direcciones para consulta de datasheets


RECOMENDACIONES Y SUGERENCIAS

Si desea hacer algunas recomendaciones o sugerencias para mejorar el desarrollo de las actividades a realizar en cada una de las prácticas mostradas anteriormente, escriba a la siguiente dirección Esta dirección electrónica esta protegida contra spam bots. Necesita activar JavaScript para visualizarla


Actualizado ( Martes, 29 de Enero de 2019 12:54 )